蔣成濤的個(gè)人簡(jiǎn)歷 
更新日期：2025-07-31 學(xué)歷：博士 工作經(jīng)驗(yàn)：10年以上 瀏覽：6次
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蔣成濤的個(gè)人簡(jiǎn)歷
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| 基本信息 | ||||
| 真實(shí)姓名： | 蔣成濤 | 性別： | 男 | |
| 年齡： | 43 歲 | 身高： | 172CM | |
| 婚姻狀況： | 未婚 | 戶籍所在： | 江蘇省鎮(zhèn)江市 | |
| 最高學(xué)歷： | 博士 | 現(xiàn)有職稱： | ||
| 聯(lián)系地址： | 江蘇省鎮(zhèn)江市丁卯橋路美意家園2棟401 | 工作經(jīng)驗(yàn)： | 10年以上 | |
| 刷新時(shí)間： | 2025-07-31 | 有效期至： | 2025-09-25 | |
| 求職意向 | |||||
| 期望工作地點(diǎn)： | 江蘇，浙江，上海，廣東，北京 | 期望崗位性質(zhì)： | 全職 | 期望月薪： | 1萬以上元/月 |
| 期望從事的崗位： | 教學(xué)管理人員 大學(xué)教授/教師 學(xué)術(shù)骨干 高等教育 講師/助教 | ||||
| 期望從事的行業(yè)： | 院校/高等教育 學(xué)術(shù)科研/院所 通信(設(shè)備/運(yùn)營(yíng)/增值服務(wù)) 電子技術(shù)/半導(dǎo)體/集成電路 航天/航空 | ||||
| 教育經(jīng)歷 | |||||
| 最高學(xué)歷： | 博士 | 畢業(yè)學(xué)校： | 南京大學(xué) | 所學(xué)專業(yè)： | 電子科學(xué)與技術(shù) |
| 教育背景： | 2015.9–2022.6 博士 南京大學(xué) 電子科學(xué)與技術(shù) 2008.9–2011.7 碩士，江蘇大學(xué)，材料學(xué) 2004.9–2008.7 學(xué)士，齊齊哈爾大學(xué)，無機(jī)非金屬材料 |
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| 技能特長(zhǎng)與工作經(jīng)驗(yàn) | |||||
| 外語語種： | 英語 | 語種水平： | 熟練 | 電腦水平： | 精通 |
| 技能描述： | 具有 15 年半導(dǎo)體微納器件設(shè)計(jì)和制備經(jīng)驗(yàn)、8年以上天線設(shè)計(jì)和光學(xué)仿真經(jīng)驗(yàn)，并熟練掌握各種材料特性分析方法。精通HFSS，CST，COMSOL，Ansys Lumerical， AUTO CAD，Solidworks，origin 和 matlab 等軟件，對(duì)光模塊和光芯片測(cè)試及光耦合封裝比較熟悉，特別是對(duì)各種微納加工設(shè)備、mems工藝、探測(cè)器器件、射頻天線、無源濾波器等比較精通，曾參與完成多項(xiàng)國(guó) | ||||
| 工作經(jīng)歷： | 2022.7-2025.4 無錫芯光互連技術(shù)研究院 前沿技術(shù)研究 負(fù)責(zé)光子毫米波/太赫茲無線收發(fā)芯片的設(shè)計(jì)及封裝：設(shè)計(jì)了基于光學(xué)差頻技術(shù)的太赫茲輻射源、太赫茲探測(cè)器芯片及器件封裝結(jié)構(gòu)，并根據(jù)太赫茲的頻率特性設(shè)計(jì)了相應(yīng)的平面天線及喇叭天線來提高太赫茲源功率和探測(cè)器的靈敏度； 設(shè)計(jì)了調(diào)制耦合器芯片，PIN-PD光電探測(cè)器與天線集成一體的毫米波/太赫茲波收發(fā)芯片； 搭建了光子毫米波/太赫茲無線通信系統(tǒng)鏈路，驗(yàn)證了光電封裝后的自研收發(fā)芯片的性能，并實(shí)現(xiàn)了光子無線（光-電-無線）通信系統(tǒng)中數(shù)據(jù)傳輸鏈路的演示實(shí)驗(yàn)； 根據(jù)光子太赫茲無線通信系統(tǒng)鏈路特點(diǎn)，研究太赫茲無線通信集成化方案和設(shè)計(jì)方法，參考光模塊集成技術(shù)將激光器、調(diào)制器、耦合器、半導(dǎo)體光放大器等器件與太赫茲收發(fā)芯片集成到一起，設(shè)計(jì)了一種光子無線收發(fā)系統(tǒng)集成模塊。 同時(shí)也掌握了有源無源芯片的設(shè)計(jì)原理及光模塊結(jié)構(gòu)和工作原理，熟悉光耦合及封裝技術(shù)。 利用光耦合平臺(tái)對(duì)有源及無源光芯片進(jìn)行性能表征，針對(duì)高速調(diào)制器（≧50GHz）和光電探測(cè)器（≧25GHz）的直流和交流性能搭建測(cè)試系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行性能測(cè)試，測(cè)試光芯片的插損、調(diào)制器帶寬，光眼圖以及光電探測(cè)器的響應(yīng)率、暗電流和帶寬等。 2013.04-2022.7 南京大學(xué)超導(dǎo)電學(xué)研究所 科研助理 管理超導(dǎo)所內(nèi)的相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備，負(fù)責(zé)維修及工藝調(diào)試。包括直流及射頻磁控濺射儀器，PECVD，RIE， ICP，光刻機(jī)，臺(tái)階儀，紅外光譜儀，綁線機(jī)，電子束蒸發(fā)，電子束光刻機(jī)等； 負(fù)責(zé)超導(dǎo)NbN 薄膜及常溫 Nb5N6 薄膜的制備，工藝優(yōu)化及薄膜性能表征等。表征薄膜常用的設(shè)備有XRD，SEM，TEM，XPS，AFM，超導(dǎo)薄膜 TC 及常溫薄膜 TCR 的四端子液氦測(cè)試系統(tǒng)等。 期間參與多個(gè)軍工類的常溫太赫茲探測(cè)器項(xiàng)目，包含單像元，線陣及面陣太赫茲陣列探測(cè)器的設(shè)計(jì)， 制備及性能表征。 搭建了太赫茲成像系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了單像元及陣列探測(cè)器的太赫茲成像驗(yàn)證。單像元實(shí)現(xiàn)了多個(gè)復(fù)雜物體的太赫茲成像實(shí)驗(yàn)，包括多根金屬柱，刀片，樹葉及門禁卡等。面陣采用與 CMOS 讀出電路通過倒裝互連的方式實(shí)現(xiàn)了太赫茲光斑的實(shí)時(shí)信號(hào)測(cè)量。 設(shè)計(jì)了各種太赫茲天線結(jié)構(gòu)，并將其應(yīng)用到太赫茲探測(cè)器中來提高器件的性能。 通過多物理場(chǎng)電磁仿真設(shè)計(jì)了懸浮的薄膜微橋結(jié)構(gòu)來降低薄膜的熱傳導(dǎo)，極大提高了探測(cè)器的響應(yīng)率。 2011.07-2013.03 南通清華同方半導(dǎo)體有限公司 研發(fā)工程師 LED芯片全流程工藝開發(fā)和整合，及熟悉全流程設(shè)備及使用。 大功率高亮度 LED 芯片設(shè)計(jì)及驗(yàn)證，如高壓芯片和倒裝芯片等，并對(duì)整個(gè) GaN 外延的生長(zhǎng)過程有一定程度的了解； 負(fù)責(zé)新工藝的開發(fā)和導(dǎo)入（市場(chǎng)調(diào)研-設(shè)計(jì)-驗(yàn)證-導(dǎo)入生產(chǎn)-工藝穩(wěn)定性跟蹤-穩(wěn)定生產(chǎn)），并完成開發(fā)相關(guān)文件及報(bào)告的撰寫，制定生產(chǎn)規(guī)范文件等； 根據(jù)銷售部門反饋的信息，開發(fā)用于市場(chǎng)需求的新產(chǎn)品，并協(xié)助銷售部門送樣，進(jìn)一步反饋后量化生產(chǎn)， 制作新產(chǎn)品開發(fā)書，協(xié)助工程部編寫 SOP 文件； |
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| 自我評(píng)價(jià) |
| 精通相關(guān)半導(dǎo)體工藝及設(shè)備等，包括直流及射頻磁控濺射儀器，PECVD，RIE， ICP，光刻機(jī)，臺(tái)階儀，紅外光譜儀，綁線機(jī)，電子束蒸發(fā)，電子束光刻機(jī)等； 負(fù)責(zé)超導(dǎo)NbN 薄膜及常溫 Nb5N6 薄膜的制備，工藝優(yōu)化及薄膜性能表征等。表征薄膜常用的設(shè)備有XRD，SEM，TEM，XPS，AFM，超導(dǎo)薄膜 TC 及常溫薄膜 TCR 的四端子液氦測(cè)試系統(tǒng)等。 對(duì)半導(dǎo)體有源 |
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